CVD管式爐簡(jiǎn)介
CVD管式爐由開(kāi)啟式單(雙)溫區(qū)管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、壓強(qiáng)控制儀及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成。可實(shí)現(xiàn)真空達(dá)0.001Pa混合氣體化學(xué)氣相沉積和擴(kuò)散試驗(yàn)。
CVD管式爐主要用于高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD/CVI實(shí)驗(yàn)，特別適用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線(xiàn)生長(zhǎng)、電池材料干燥燒結(jié)等場(chǎng)所。
CVD管式爐特點(diǎn)
1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)10?/S;
2. 大面積均勻性高：采用了先進(jìn)的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%;
3. 一致性高：用半導(dǎo)體行業(yè)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
4. 工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;
5.智能CVD設(shè)備是目前最新型的一款設(shè)備，將所有的控制部分集為一體，此款設(shè)備是博納熱獲得專(zhuān)利的設(shè)備。高溫真空加熱爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控制系統(tǒng)。電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品，做到高性能、免維護(hù)，提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性。
6.適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復(fù)合薄膜，連續(xù)生長(zhǎng)各種薄膜等。增加功能容易，可擴(kuò)展等離子清洗刻蝕等功能。
CVD管式爐技術(shù)參數(shù)
最高工作溫度：1200 oC
長(zhǎng)期工作溫度：≤1100℃
熱電偶：K型
加熱元件：HRE電阻絲
極限真空度：1Pa
流量計(jì)：三路質(zhì)子流量計(jì)，雙卡套不銹鋼接頭，316L耐腐蝕材料
