CVD管式爐簡介
CVD管式爐由開啟式單(雙)溫區(qū)管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、壓強控制儀及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成。可實現(xiàn)真空達0.001Pa混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。
CVD管式爐主要用于高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD/CVI實驗，特別適用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長、電池材料干燥燒結(jié)等場所。
CVD管式爐特點
1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S;
2. 大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標達到8%;
3. 一致性高：用半導體行業(yè)的先進設(shè)計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
4. 工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;
5.智能CVD設(shè)備是目前最新型的一款設(shè)備，將所有的控制部分集為一體，此款設(shè)備是博納熱獲得專利的設(shè)備。高溫真空加熱爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負反饋控制系統(tǒng)。電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進口產(chǎn)品，做到高性能、免維護，提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性。
6.適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續(xù)生長各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。
CVD管式爐技術(shù)參數(shù)
最高工作溫度：1200 oC
長期工作溫度：≤1100℃
熱電偶：K型
加熱元件：HRE電阻絲
極限真空度：1Pa
流量計：三路質(zhì)子流量計，雙卡套不銹鋼接頭，316L耐腐蝕材料