CVD管式爐簡介
CVD管式爐由開啟式單(雙)溫區管式爐、高真空分子泵系統、壓強控制儀及多通道高精度數字質量流量控制系統組成。可實現真空達0.001Pa混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。
CVD管式爐主要用于高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD/CVI實驗,特別適用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長、電池材料干燥燒結等場所。
CVD管式爐特點
1.薄膜沉積速率高:射頻輝光技術,大大的提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達10?/S;
2. 大面積均勻性高:采用了先進的多點射頻饋入技術,特殊氣路分布和加熱技術等,使得薄膜均勻性指標達到8%;
3. 一致性高:用半導體行業的先進設計理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
4. 工藝穩定性高:高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定;
5.智能CVD設備是目前最新型的一款設備,將所有的控制部分集為一體,此款設備是博納熱獲得專利的設備。高溫真空加熱爐溫度控制系統采用經典的閉環負反饋控制系統。電氣元件采用優質的進口產品,做到高性能、免維護,提高了設備質量的可靠性。
6.適用范圍寬:金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復合薄膜,連續生長各種薄膜等。增加功能容易,可擴展等離子清洗刻蝕等功能。
CVD管式爐技術參數
最高工作溫度:1200 oC
長期工作溫度:≤1100℃
熱電偶:K型
加熱元件:HRE電阻絲
極限真空度:1Pa
流量計:三路質子流量計,雙卡套不銹鋼接頭,316L耐腐蝕材料





