PECVD管式爐簡介
PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
PECVD管式爐系統通過滑動爐體來實現快速的升降溫，配置不同的真空系統來達到理想的真空度;同時通過多路高精度質量流量計控制不同氣體。
PECVD管式爐是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇。
PECVD管式爐主要用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
PECVD管式爐特點
1.高薄膜沉積速率：RF輝光技術，大大提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S;
2、面積均勻度高：先進的多點射頻送料技術、特殊的氣路分布及加熱技術等，使薄膜均勻度指標達到8%;
3、一致性高：采用半導體行業先進的設計理念，一次沉積的基板之間偏差小于2%;
4、工藝穩定性高：設備穩定性高，保證工藝連續穩定;
PECVD管式爐技術參數
最高工作溫度：1200 oC
長期工作溫度：≤1100℃
熱電偶：K型
加熱元件：HRE電阻絲
極限真空度：1Pa
流量計：三路質子流量計，雙卡套不銹鋼接頭，316L耐腐蝕材料
